La mémoire flash est une technologie de stockage haute vitesse non volatile, programmable et basée sur une puce qui conserve les données même en cas de coupure de courant. Il existe deux types de mémoire flash : NAND et NOR.
Qu'est-ce que la NAND ?
La mémoire flash stocke les données dans un réseau de cellules de mémoire définies par des transistors à grille flottante métal-oxyde-semi-conducteur (FGT), qui stockent les données binaires 1 ou 0. Chaque transistor a deux grilles, une grille de commande et une grille flottante.
Contrairement à la mémoire DRAM, la NAND est capable de stocker des données même lorsque l'alimentation est coupée. Lorsque la mémoire flash est mise hors tension, le semi-conducteur à oxyde métallique du transistor à grille flottante (FGT) alimente la cellule mémoire, préservant ainsi l'intégrité des données. Un tableau de cellules NAND stocke 1 à 4 bits de données.
Types de flash NAND courants :
Les types NAND courants sont SLC, MLC, TLC et 3D NAND. La NAND 3D avec des cellules empilées verticalement offre des performances et une densité supérieures.
SLC : cellule à un niveau, SLC NAND stocke un bit d'information par cellule. SLC NAND a la plus grande endurance par rapport à des produits similaires, et SLC NAND est la mémoire flash la plus chère du marché aujourd'hui.
MLC : Cellule à plusieurs niveaux, MLC NAND stocke deux bits d'information par cellule. Par rapport à SLC NAND, la quantité de données de stockage unitaire est augmentée, réduisant ainsi le coût du stockage de données unitaire, mais réduisant le taux d'endurance.
TLC : cellule à trois niveaux, TLC NAND stocke trois bits par cellule, ce qui réduit les coûts et la durabilité et augmente la capacité. Il a un faible taux d'endurance, est le type de mémoire flash le moins cher et est principalement utilisé dans l'électronique grand public.
QLC : Quad Level Cell, QLC NAND stocke quatre bits par cellule, créant ainsi des dispositifs de stockage à haute densité et haute capacité. QLC NAND a une latence de lecture plus faible et convient mieux aux opérations de lecture de données pour des applications telles que l'apprentissage automatique, l'intelligence artificielle (IA), le big data, etc., mais il est moins durable et moins cher.
3D NAND : afin d'augmenter la capacité des appareils NAND, la 3D NAND augmente la capacité et réduit les coûts en empilant verticalement plusieurs couches de cellules de stockage. Les appareils 3D NAND atteignent une densité plus élevée et une consommation d'énergie plus faible, des vitesses de lecture et d'écriture plus rapides, et plus de durabilité. .
Qu'est-ce que la mémoire flash NOR ?
NOR Flash est la première mémoire flash disponible. Les cellules de la puce de mémoire flash NOR sont disposées en parallèle les unes par rapport aux autres, de sorte que l'efficacité de lecture est élevée, mais la vitesse d'écriture est lente.Il est souvent utilisé dans le scénario d'application où le code est écrit une fois et lu plusieurs fois.
La différence entre NAND et NOR :
Part de marché : L'utilisation du flash NAND dépasse de loin celle du flash NOR.
Performances de lecture : la vitesse de lecture du flash NOR est plus rapide que celle du flash NAND.
Performances d'écriture et d'effacement : contrairement aux performances de lecture, la vitesse d'écriture et d'effacement des puces NAND est plus rapide que celle des périphériques NOR.
Endurance : Par rapport à la mémoire NAND, la mémoire flash NOR a une endurance plus élevée.
Densité de stockage : la mémoire NOR a une densité inférieure à celle des puces de mémoire flash NAND équivalentes.
Scénario d'application :
La mémoire flash NOR Flash est généralement utilisée dans l'électronique grand public, l'Internet des objets, l'automobile et l'industrie, tandis que la NAND est utilisée dans les appareils photo numériques, les smartphones, les tablettes, les cartes mémoire, les disques SSD et les ordinateurs.
Bien que la mémoire flash NAND soit actuellement le type de mémoire flash le plus populaire, la mémoire flash NOR a toujours ses propres avantages techniques. À l'heure actuelle, SK hynix a annoncé la sortie d'échantillons NAND 4D à 321 couches et devrait atteindre une production de masse au premier semestre 2025. Avec le développement continu de la technologie de mémoire flash, nous pourrons utiliser des produits de mémoire flash avec de meilleures performances et des prix plus abordables à l'avenir.
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